Η Samsung ανακοίνωσε την Πρώτη Μνήμη Υψηλού Εύρους Ζώνης 2E 16GB 3ης Γενιάς (HBM2E)

Η Samsung Electronics Co., Ltd., παγκόσμιος ηγέτης στην προηγμένη τεχνολογία μνήμης, ανακοίνωσε σήμερα την κυκλοφορία της μνήμης υψηλού εύρους ζώνης 2E (HBM2E) 3ης Γενιάς, «Flashbolt». Η νέα 16GB HBM2E είναι μοναδικά σχεδιασμένη για τη μεγιστοποίηση της υψηλής απόδοσης των υπολογιστικών συστημάτων…

Η νέα HBM2E συγκεντρώνει οκτώ επιστρώσεις από 16Gbit DRAM για την επίτευξη χωρητικότητας 16GB εξασφαλίζοντας σταθερή ταχύτητα μεταφοράς δεδομένων στα 3.2Gbps

Η Samsung Electronics Co., Ltd., παγκόσμιος ηγέτης στην προηγμένη τεχνολογία μνήμης, ανακοίνωσε σήμερα την κυκλοφορία της μνήμης υψηλού εύρους ζώνης 2E (HBM2E) 3^ης Γενιάς, «Flashbolt». Η νέα 16GB HBM2E είναι μοναδικά σχεδιασμένη για τη μεγιστοποίηση της υψηλής απόδοσης των υπολογιστικών συστημάτων (High Performance Computing). Έτσι, δύναται να βοηθήσει τους κατασκευαστές συστημάτων να αναβαθμίσουν υπερ-υπολογιστές, αναλύσεις δεδομένων με βάση την τεχνητή νοημοσύνη, καθώς και υψηλής τεχνολογίας συστήματα γραφικών.   

«Παρουσιάζοντας τη DRAM με την υψηλότερη απόδοση στην αγορά, κάνουμε ένα σημαντικό βήμα για την ενίσχυση της θέσης μας ως πρωτοποριακού ηγέτη στην ταχέως αναπτυσσόμενη αγορά premium μνήμης», δήλωσε ο Cheol Choi, Executive Vice President του Memory Sales & Marketing στη Samsung Electronics. «Η Samsung θα παραμείνει πιστή στη δέσμευσή της για παροχή πραγματικά διαφοροποιημένων λύσεων με την παράλληλη ενίσχυση της ανάπτυξης της παγκόσμιας αγοράς μνήμης». 

Η νέα Flashbolt διαθέτει τη διπλάσια χωρητικότητα σε σχέση με την προηγούμενης γενιάς 8GB HBM2 «Aquabolt» και αυξάνει ραγδαία την αποτελεσματικότητα και την ενεργειακή απόδοση, για να βελτιώσει σημαντικά τα υπολογιστικά συστήματα επόμενης γενιάς. Η χωρητικότητα 16GB επιτυγχάνεται με την κάθετη στοίχιση οκτώ στοιβάδων 16-gigabit (Gb) DRAM, τάξεως 10nm (1y), οι οποίες τοποθετούνται επάνω σε ένα buffer chip. Στη συνέχεια, η HBM2E διασυνδέεται σε μια ακριβή διάταξη περισσότερων από 40.000 υψηλής απόδοσης τεχνικών διασυνδέσεων TSV microbumps, με την κάθε επίστρωση 16Gb να περιέχει περισσότερες από 5.600 μικροσκοπικές οπές.

Η Flashbolt της Samsung παρέχει μια εξαιρετικά αξιόπιστη ταχύτητα μεταφοράς δεδομένων 3.2 gigabits ανά δευτερόλεπτο, αξιοποιώντας έναν αποκλειστικό σχεδιασμό βελτιστοποιημένου κυκλώματος για αναμετάδοση σήματος. Ταυτόχρονα, προσφέρει ευρυζωνική μνήμη 410GB/s ανά στοιβάδα. Η HBM2E μπορεί να πετύχει ταχύτητα μεταφοράς 4.2Gbps, τη μέγιστη ταχύτητα δεδομένων που έχει επιτευχθεί έως σήμερα, επιτρέποντας μέχρι και 538GB/s εύρος ζώνης ανά στοιβάδα, σε συγκριμένες εφαρμογές του μέλλοντος. Αυτό θα ισοδυναμούσε με αύξηση κατά 1.75 φορές σε σχέση με τα 307GB/s της Aquabolt.      

Η Samsung σχεδιάζει την έναρξη μαζικής παραγωγής κατά το πρώτο εξάμηνο του έτους. Η εταιρεία θα εξακολουθήσει να παρέχει τη σειρά Aquabolt δεύτερης γενιάς. Παράλληλα, θα επεκτείνει τη διάθεση της Flashbolt τρίτης γενιάς και θα ενισχύσει περαιτέρω τις συνεργασίες με συνεργάτες του οικοσυστήματος σε συστήματα επόμενης γενιάς, καθώς θα επιταχύνει τη μετάβαση σε ΗΒΜ λύσεις στην αγορά premium μνήμης.