Η Samsung Electronics ξεκινά τη μαζική παραγωγή 8th-Gen Vertical NAND με την υψηλότερη πυκνότητα bit στη βιομηχανία
Η όγδοη γενιά V-NAND της Samsung διαθέτει την υψηλότερη χωρητικότητα αποθήκευσης στον κλάδο και την υψηλότερη πυκνότητα bit, ώστε να είναι δυνατή η επέκταση του χώρου αποθήκευσης σε διακομιστές επόμενης γενιάς
Η Samsung Electronics Co., Ltd., παγκόσμιος ηγέτης στην προηγμένη τεχνολογία μνήμης, ανακοίνωσε ότι έχει ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή ενός 1 terabit (Tb) triple-level cell (TLC) όγδοης γενιάς Vertical NAND (V-NAND) με την υψηλότερη πυκνότητα bit στον κλάδο, όπως υποσχέθηκε στο Flash Memory Summit 2022 και στο Samsung Memory Tech Day 2022. Με 1Tb, ο νέος V-NAND διαθέτει επίσης την υψηλότερη χωρητικότητα αποθήκευσης μέχρι σήμερα, επιτρέποντας μεγαλύτερο αποθηκευτικό χώρο σε συστήματα επιχειρήσεων επόμενης γενιάς, παγκοσμίως.
«Καθώς η ζήτηση της αγοράς για πυκνότερη και μεγαλύτερης χωρητικότητας αποθήκευση ωθεί σε υψηλότερο αριθμό στρωμάτων V-NAND, η Samsung υιοθέτησε την προηγμένη τεχνολογία τρισδιάστατης κλιμάκωσης, για να μειώσει την επιφάνεια και το ύψος, αποφεύγοντας παράλληλα τις παρεμβολές από κύτταρο σε κύτταρο που συμβαίνουν συνήθως με την κλιμάκωση προς τα κάτω», δήλωσε ο SungHoi Hur, Executive Vice President του τμήματος Flash Product & Technology της Samsung Electronics. «Η όγδοη γενιά V-NAND θα βοηθήσει να ανταποκριθούμε στην ταχέως αυξανόμενη ζήτηση της αγοράς και θα μας τοποθετήσει καλύτερα στην παροχή πιο διαφοροποιημένων προϊόντων και λύσεων, οι οποίες θα αποτελέσουν το θεμέλιο των μελλοντικών καινοτομιών στον τομέα της αποθήκευσης».
Η Samsung κατάφερε να επιτύχει την υψηλότερη πυκνότητα bit στον κλάδο, βελτιώνοντας σημαντικά την παραγωγικότητα των bit ανά πλακίδιο. Με βάση τη διεπαφή Toggle DDR 5.0* – το πιο πρόσφατο πρότυπο NAND flash – η όγδοη γενιά V-NAND της Samsung διαθέτει ταχύτητα εισόδου και εξόδου (I/O) έως και 2,4 gigabits ανά δευτερόλεπτο (Gbps), μια αύξηση 1,2X σε σχέση με την προηγούμενη γενιά. Αυτό θα επιτρέψει στο νέο V-NAND να ανταποκριθεί στις απαιτήσεις επιδόσεων του PCIe 4.0 και αργότερα του PCIe 5.0.
Η όγδοη γενιά V-NAND αναμένεται να αποτελέσει τον ακρογωνιαίο λίθο για διαμορφώσεις αποθήκευσης που συμβάλλουν στην επέκταση της χωρητικότητας αποθήκευσης σε εταιρικούς διακομιστές επόμενης γενιάς, ενώ παράλληλα θα επεκτείνει τη χρήση της στην αγορά της αυτοκινητοβιομηχανίας, όπου η αξιοπιστία είναι ιδιαίτερα κρίσιμη.
* Σημείωση του συντάκτη: Εναλλαγή γενεών διασύνδεσης DDR – 1.0 (133Mbps), 2.0 (400Mbps), 3.0 (800Mbps), 4.0 (1.200Mbps), 5.0 (2.400Mbps)
