H Samsung ξεκινά την μαζική παραγωγή QLC 9th-Gen V-NAND για την AI εποχή

Το πρόσφατο QLC V-NAND πολλές τεχνολογίες, συμπεριλαμβανομένου του Channel Hole Etching που επιτρέπει τον υψηλότερο αριθμό επιπέδων με δομή διπλής στοίβας

Το πρώτο QLC και TLC 9ης γενιάς V-NAND της βιομηχανίας προσφέρει βελτιστοποιημένη μνήμη για διαφορετικές εφαρμογές Τεχνητής Νοημοσύνης

Η Samsung Electronics Co., Ltd., ανακοίνωσε σήμερα ότι έχει ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή της 9^ης γενιάς NAND (V-NAND) τετραπλής κυψέλης (QLC) ενός terabit (Tb).

Η πρώτη μαζική παραγωγή του κλάδου για την QLC 9^ης γενιάς V-NAND ακολουθεί την πρώτη παραγωγή τριπλού επιπέδου κυψελών (TLC) 9^ης γενιάς V-NAND τον Απρίλιο του 2024 και έρχεται να εδραιώσει την ηγετική θέση της Samsung στην αγορά των υψηλής χωρητικότητας και αποδόσεων NAND flash memories.

«Με την έναρξη της επιτυχημένης μαζικής παραγωγής του QLC 9ης γενιάς V-NAND μόλις τέσσερις μήνες μετά την έκδοση TLC, έχουμε τη δυνατότητα να προσφέρουμε μια πλήρη σειρά προηγμένων λύσεων SSD που καλύπτουν τις ανάγκες της εποχής της Τεχνητής Νοημοσύνης», δήλωσε ο SungHoi Hur, Εκτελεστικός Αντιπρόεδρος και Επικεφαλής του Τμήματος Flash Product & Technology στη Samsung Electronics.

Η Samsung σχεδιάζει να επεκτείνει τις εφαρμογές της QLC 9^ης γενιάς V-NAND, ξεκινώντας με επώνυμα καταναλωτικά προϊόντα και συνεχίζοντας στους φορητούς Universal Flash Storage (UFS), υπολογιστές και SSD διακομιστών για πελάτες, συμπεριλαμβανομένων των παρόχων υπηρεσιών cloud.

Η QLC 9ης γενιάς V-NAND της Samsung συνδυάζει μια σειρά από καινοτομίες που έχουν οδηγήσει σε τεχνολογικές προόδους:

• Το Channel Hole Etching της Samsung χρησιμοποιήθηκε για την επίτευξη του μεγαλύτερου αριθμού στρωμάτων -στον κλάδο- με δομή διπλής στοίβας. Αξιοποιώντας την τεχνογνωσία που προήλθε από την TLC 9^ης γενιάς V-NAND, η περιοχή των κυψελών και τα περιφερειακά κυκλώματα έχουν βελτιστοποιηθεί, επιτυγχάνοντας κορυφαία πυκνότητα bit, περίπου 86% υψηλότερη από εκείνη της TLC 9ης γενιάς V-NAND.
• Το Designed Mold προσαρμόζει την απόσταση των Word Lines (WL), για να διασφαλίσει την ομοιομορφία και τη βελτιστοποίηση των χαρακτηριστικών σε όλα τα επίπεδα. Αυτά τα χαρακτηριστικά γίνονται ολοένα και πιο σημαντικά, καθώς αυξάνεται ο αριθμός των επιπέδων V-NAND. Η υιοθέτηση του Designed Mold έχει βελτιώσει την απόδοση διατήρησης δεδομένων κατά περίπου 20% σε σύγκριση τις προηγούμενες γενιές, γεγονός που βελτιώνει συνολικά την αξιοπιστία του προϊόντος.
• Το Predictive Program προβλέπει και ελέγχει τις αλλαγές κατάστασης κυψέλης για να ελαχιστοποιήσει τις περιττές ενέργειες. Η QLC 9^ης γενιάς V-NAND της Samsung έχει διπλασιάσει την απόδοση εγγραφής και βελτίωσε την ταχύτητα εγγραφής και εισόδου των δεδομένων κατά 60%, χάρη στην πρόοδο αυτής της τεχνολογίας.
• Η κατανάλωση ενέργειας που απαιτείται για την ανάγνωση και εγγραφή των δεδομένων μειώθηκε περίπου κατά 30% και 50% αντίστοιχα, με τη χρήση της τεχνολογίας Low–Power Design. Αυτή η μέθοδος μειώνει την τάση που οδηγεί τις NAND κυψέλες και ελαχιστοποιεί την κατανάλωση ενέργειας ανιχνεύοντας μόνο τις απαραίτητες γραμμές bit (BL).